Kako prenosi Wccftech, Samsung je juče zvanično isporučio prvi segment čipova napravljenih u 3 nm GAA (Gate All Around) procesu, prilikom čega je upriličena i svečana ceremonija zvaničnog početka jedne nove tehnologije.
Prva isporuka
Kompanija Samsung održala je zvaničnu ceremoniju u Hvaesong kampusu prilikom koje je isporučila prvu pošiljku čipova izrađenih u proizvodnom procesu od 3 nanometra. Događaju je prisustvovalo više od stotinu osoba među kojima ministar trgovine, industrije i energetike Čangjang Li, kao i zaposleni iz svih sektora u samoj kompaniji koji su doprineli razvoju i implementaciji tehnologije od 3 nanometra.
Ovi čipovi trebalo bi da ponude 45 %poboljšanu energetsku efikasnost i 23% unapređene performanse uz 16% manju površinu u odnosu na one koji koriste 5 nanometara FinFET tehnologiju proizvodnje. GAA tehnologija se u kompaniji Samsung razvija od 2000. godine, a ovo je prvi put da je ona upotrebljena u proizvodnji čipova procesom od tri nanometra.
Veliki planovi
U ovom trenutku glavni plan kompanije Samsung jeste da čipove izrađene u ovom proizvodnom procesu upotrebi u pametnim telefonima. Međutim, prva isporuka nije namenjena mobilnim procesorima već, pomalo ironično, rudarima kriptovaluta.
Nakon ovog inicijalnog perioda ispitivanja tržišta, očekuje se da će Samsung iskoristiti ovu tehnologiju prvenstveno za proizvodnju svog novog “flagship” procesora, Exynos 2300. Pored toga, uvek postoji mogućnost da će se kompanija Qualcomm okrenuti Samsungu za izradu određenog dela Snapdragon 8 Gen 2 procesora. Kako se navodi, Samsung je već pripremio nekoliko primeraka za slučaj da Qualcomm izrazi želju za saradnjom.
Konkurencija
Glavni konkurent kompanija Samsung u segmentu proizvodnje čipova procesom od 3 nanometra jeste kompanija TSMC koja planira da proizvodnju prvih procesora izrađenih ovom tehnologijom otpočne tokom poslednjeg kvartala tekuće godine.
Izvor:
Benchmark.
