Samsung Electronics je potvrdio ogroman tehnološki iskorak: njihov SAIT istraživački institut (nekadašnji Samsung Advanced Institute of Technology) objavio je u časopisu “Nature” rezultate nove vrste NAND Flash strukture koja može da smanji potrošnju energije čak za 96 odsto u odnosu na današnje komercijalne NAND čipove.
U naučnom radu pod nazivom “Ferroelectric transistors for low-power NAND flash” tim istraživača opisuje kako je kombinacijom ferolelektričnih materijala i oksidnih poluprovodnika prvi put jasno definisan mehanizam koji omogućava rekordno nisku potrošnju energije tokom čitanja i upisa.
Revolucija u NAND memoriji otvara put efikasnijim AI centrima i mobilnim uređajima
NAND memorija je osnovni tip trajnog prostora za čuvanje podataka koji zadržava informacije čak i kada nema napajanja.
Današnji razvoj NAND čipova zasniva se na gradnji sve viših 3D struktura sa stotinama ili hiljadama slojeva, čime se povećava gustina skladištenja.
Međutim, ova metoda nosi cijenu: potrošnja energije drastično raste, posebno pri masovnim opterećenjima kakva se viđaju u AI i cloud data centrima, prenosi “BenchMark“.
