Samsung počinje sa masovnom proizvodnjom 64-slojnog 256 Gbit 3D TLC NAND flasha

Objavljeno: 16.6.2017.

Samsung je objavio da uskoro počinje sa masovnom proizvodnjom svog 64-slojnog 256 Gbit 3D TLC NAND flasha, četvrte generacije V-NAND. Kompanijin 64-slojni 3-bitni 256Gb V-NAND ima brzine transfera podataka do 1Gbps, što je najbrže među trenutno dostupnim NAND flash memorijama. Južnokorejska kompanija veruje da će se industrija sada fokusirati na na visoke performanse i pouzdanost […]

Samsung je objavio da uskoro počinje sa masovnom proizvodnjom svog 64-slojnog 256 Gbit 3D TLC NAND flasha, četvrte generacije V-NAND. Kompanijin 64-slojni 3-bitni 256Gb V-NAND ima brzine transfera podataka do 1Gbps, što je najbrže među trenutno dostupnim NAND flash memorijama.

Južnokorejska kompanija veruje da će se industrija sada fokusirati na na visoke performanse i pouzdanost skladišne memorije, pre nego na trku u skaliranju čipova.

Novi 64-slojni 256Gb V-NAND obezbeđuje za 30 procenata bolju produktivnost u poređenju sa prethodnim 48-slojnim 256Gb V-NAND-om. Takođe, pouzdanost novih V-NAND ćelija je poboljšana za oko 20 procenata u poređenju sa prethodnikom.

Samsung planira da proizvodne kapacitete za novi V-NAND pojača za 50% do kraja godine.

Izvor: Benchmark

Komentariši

Vaš e-mail neće biti objavljen. Podaci koji su neophodni obilježeni su znakom *